黄冕指出：“随着半导体技术按照特征尺寸等比例缩小的进一步发展，半导体封装也随之朝着小体积、高密度、高散热性、高集成度的方向发展，而Fanout技术是半导体封装未来主要的技术发展方向之一。”

一直以来，中科四合基于先进Fanout封装工艺技术开发新型分立器件/模组；符合车规级的Panel级分立器件/模组Fan-out封装工艺制造，面向消费类、工业类、汽车类、通信类等行业应用。

据其介绍，中科四合利用Fanout先进封装工艺已实现小信号ESD器件研发并实现量产。可提供尺寸更小、内阻/热阻更低的Mosfet产品，该产品将于今年第三季度量产。用于光伏太阳能领域的SBD产品，相比以往的产品，以及GaN模块产品开发。

黄冕称：“我们的工厂目前在深圳，明年计划在厦门海沧的园区中新建两栋厂房，争取在明年第四季度实现产出。”